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SiHU5N50D
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
12
3
Vishay Siliconix
9
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9V
T J = 25 °C
2.5
2
I D = 2.5 A
6
1.5
3
0
8V
7V
6V
1
0.5
0
V GS = 10 V
0
5
10
15
20
25
30
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
8
TOP 15 V
1000
14 V
13 V
12 V
T J = 150 °C
C i ss
6
4
2
11 V
10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
100
10
C o ss
C r ss
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C i ss = C g s + C gd , C d s S horted
C r ss = C gd
C o ss = C d s + C gd
0
1
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
12
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
24
V D S = 400 V
9
20
16
V D S = 250 V
V D S = 100 V
6
3
T J = 150 °C
12
8
0
T J = 25 °C
4
0
0
5
10
15
20
25
0
3
6
9
12
15
18
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Q g , Total G ate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S12-0690-Rev. A, 02-Apr-12
3
Document Number: 91492
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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